积电赢三星3nm之争：TCAD是制胜关键，中国半导体如何破局？
就说2018年前后那波7nm节点的风险生产吧，Intel当时押注了DUV光刻机，结果良率一直卡壳，量产进度拖了又拖。
三星3nm
台积电、三星3nm之争，再现工艺突破的制胜法宝
2018前后开始风险生产的7nm节点。Intel选择了DUV光刻机，因良率问题量产困难。TSMC选择了切换到EUV光刻机，成本更低，良率更高。Intel花了3年时间，才解决了良率问题，但错过了市场窗口。台积电一举超越Intel，取得了先进工艺的领先地位。
就说2018年前后那波7nm节点的风险生产吧，Intel当时押注了DUV光刻机，结果良率一直卡壳，量产进度拖了又拖。
2018前后开始风险生产的7nm节点。Intel选择了DUV光刻机，因良率问题量产困难。TSMC选择了切换到EUV光刻机，成本更低，良率更高。Intel花了3年时间，才解决了良率问题，但错过了市场窗口。台积电一举超越Intel，取得了先进工艺的领先地位。